BNB 8655 - Batterienachbildung

 BNB 8655 - Batterienachbildung

 

  • BNB 8655 - Battery Simulator

 

 

Die Batterienachbildung BNB 8655 hat die Aufgabe, dem Prüfling (Fahrzeugkomponenten) mit Strom zu versorgen und eine definierte Ausgangsimpedanz zu gewährleisten. Sie wurde für Tests im Automotivebereich entwickelt.

Die Batterienachbildung BNB 8655 ist symmetrisch aufgebaut und enthält zwei Pfade mit variablen Leistungswiderständen Rint, die mit „HV+“ und „HV-“ gekennzeichnet sind. Eine Batterie kann durch verschiedene interne Widerstände nachgebildet werden. Für Rint stehen drei mögliche Werte zu Verfügung: 2 x 100 mΩ, 2 x 50 mΩ und 2 x 25 mΩ (je ein Widerstand in jedem Pfad). Die eingebauten Komponenten haben keine vorgeschriebene Polarität. Die Pfade sind vom Gehäuse isoliert.

 

Max. Spannung: 1000 VDC
Max. DC-Strom:

800 A

Nachbildungsimpedanz: 2 x Rint in serie mit 1 µH
(Rint=100/50/25 mΩ)
Eigeninduktivität: 0.5 µH
Induktivität der LISN: 2 x 1 µH
Gewicht: 123 kg
Abmessungen B x H x T: 710 x 570 x 900 mm
Normen: MBN 11123, ISO 21498-2

pdficon small Datenblatt BNB 8655